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金融界2023年12月2日音信情色电影迅雷，据国度常识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司恳求一项名为“一种三层并联的增强型GaN-HFET偏激制备步调“，公开号CN117153683A，恳求日历为2023年8月。
专利摘抄表示，一种三层并联的增强型GaN-HFET偏激制备步调。波及半导体技艺边界。本发明的技艺决策是：制备三层进取重叠的异质结结构，诓骗每一层结构基层高阻氮化镓层和表层氮化硅保护层终止不同层电性，使不同层结构的电性互相不影响；每一层均有好意思满的栅、漏、源极区域，通过在终局作念两段栅、源、漏方形金属通孔，使三层结构的栅、漏、源极终了金属互联；此外H离子钝化P-GaN工艺也幸免了刻蚀工艺带来的刻蚀毁伤，大大辅助了器件的可靠性能力。使用此结构制备的YJGAN65030C1器件具有680V的耐压，具有30A的通流。与阛阓上同耐压、同尺寸的SJ Si mos和SiC mos比较，通流方面有权臣的上风。
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